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NGTB30N60SWG

メーカー: ON Semiconductor
対象品目: Transistors - IGBTs - Single
データシート: NGTB30N60SWG
説明: IGBT 600V 60A 189W TO247
rohs地位: rohs化
属性 属性値
メーカー ON Semiconductor
対象品目 Transistors - IGBTs - Single
シリーズ -
igbtタイプ Trench Field Stop
包装 Tube
入力タイプ Standard
門電荷 90nC
部地位 Obsolete
-マックス 189W
取付タイプ Through Hole
パケット/場合 TO-247-3
実験条件 400V, 30A, 10Ohm, 15V
スイッチングエネルギー 750µJ (on), 540µJ (off)
td (on / off) @ 25°c 57ns/109ns
作動温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
サプライヤー装置パッケージ TO-247
v(オン)(Max) @ Vge, Ic 2.2V @ 15V, 30A
反転回復時間(trr) 200ns
現在-コレクター・Ic (Max) 60A
現在-コレクターピン(Icm) 120A
電圧-コレクターズ・エミッター崩壊(Max 600V

在庫が 54 pcs

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