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NGTB35N65FL2WG

メーカー: ON Semiconductor
対象品目: Transistors - IGBTs - Single
データシート: NGTB35N65FL2WG
説明: IGBT 650V 70A 300W TO247
rohs地位: rohs化
属性 属性値
メーカー ON Semiconductor
対象品目 Transistors - IGBTs - Single
シリーズ -
igbtタイプ Trench Field Stop
包装 Tube
入力タイプ Standard
門電荷 125nC
部地位 Active
-マックス 300W
取付タイプ Through Hole
パケット/場合 TO-247-3
実験条件 400V, 35A, 10Ohm, 15V
スイッチングエネルギー 840µJ (on), 280µJ (off)
td (on / off) @ 25°c 72ns/132ns
作動温度 -55°C ~ 175°C (TJ)
サプライヤー装置パッケージ TO-247
v(オン)(Max) @ Vge, Ic 2V @ 15V, 35A
反転回復時間(trr) 68ns
現在-コレクター・Ic (Max) 70A
現在-コレクターピン(Icm) 120A
電圧-コレクターズ・エミッター崩壊(Max 650V

在庫が 73 pcs

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