NGTB50N120FL2WG
メーカー: | ON Semiconductor |
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対象品目: | Transistors - IGBTs - Single |
データシート: | NGTB50N120FL2WG |
説明: | IGBT 1200V 100A 535W TO247 |
rohs地位: | rohs化 |
属性 | 属性値 |
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メーカー | ON Semiconductor |
対象品目 | Transistors - IGBTs - Single |
シリーズ | - |
igbtタイプ | Trench Field Stop |
包装 | Tube |
入力タイプ | Standard |
門電荷 | 311nC |
部地位 | Active |
-マックス | 535W |
取付タイプ | Through Hole |
パケット/場合 | TO-247-3 |
実験条件 | 600V, 50A, 10Ohm, 15V |
スイッチングエネルギー | 4.4mJ (on), 1.4mJ (off) |
td (on / off) @ 25°c | 118ns/282ns |
作動温度 | -55°C ~ 175°C (TJ) |
サプライヤー装置パッケージ | TO-247 |
v(オン)(Max) @ Vge, Ic | 2.2V @ 15V, 50A |
反転回復時間(trr) | 256ns |
現在-コレクター・Ic (Max) | 100A |
現在-コレクターピン(Icm) | 200A |
電圧-コレクターズ・エミッター崩壊(Max | 1200V |
在庫が 72 pcs
いや「参考価格 ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
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$5.88 | $5.76 | $5.65 |
最小: 1