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NJL4281DG

メーカー: ON Semiconductor
対象品目: Transistors - Bipolar (BJT) - Single
データシート: NJL4281DG
説明: TRANS NPN 350V 15A TO264
rohs地位: rohs化
属性 属性値
メーカー ON Semiconductor
対象品目 Transistors - Bipolar (BJT) - Single
シリーズ -
包装 Tube
部地位 Obsolete
-マックス 230W
取付タイプ Through Hole
パケット/場合 TO-264-5
トランジスタタイプ NPN + Diode (Isolated)
作動温度 -65°C ~ 150°C (TJ)
周波数-遷移 35MHz
サプライヤー装置パッケージ TO-264
vイス(Max) @ Ib、Ic 1V @ 800mA, 8A
現在-コレクター・Ic (Max) 15A
トラッキング・キュートフ(マックス) 100µA
DC電流利得(hFE) (Min) @ Vce 80 @ 5A, 5V
電圧-コレクターズ・エミッター崩壊(Max 350V

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