画像は参考までに、仕様書を参照してください
NJVMJD112G
| メーカー: | ON Semiconductor |
|---|---|
| 対象品目: | Transistors - Bipolar (BJT) - Single |
| データシート: | NJVMJD112G |
| 説明: | TRANS NPN DARL 100V 2A DPAK-4 |
| rohs地位: | rohs化 |
| 属性 | 属性値 |
|---|---|
| メーカー | ON Semiconductor |
| 対象品目 | Transistors - Bipolar (BJT) - Single |
| シリーズ | - |
| 包装 | Tube |
| 部地位 | Active |
| -マックス | 1.75W |
| 取付タイプ | Surface Mount |
| パケット/場合 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| トランジスタタイプ | NPN - Darlington |
| 作動温度 | -65°C ~ 150°C (TJ) |
| 周波数-遷移 | 25MHz |
| サプライヤー装置パッケージ | DPAK |
| vイス(Max) @ Ib、Ic | 3V @ 40mA, 4A |
| 現在-コレクター・Ic (Max) | 2A |
| トラッキング・キュートフ(マックス) | 20µA |
| DC電流利得(hFE) (Min) @ Vce | 1000 @ 2A, 3V |
| 電圧-コレクターズ・エミッター崩壊(Max | 100V |
在庫が 54 pcs
| いや「参考価格 ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
|---|---|---|---|
| $0.39 | $0.38 | $0.37 |
最小: 1
要求引用
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