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NJVMJD122T4G-VF01

メーカー: ON Semiconductor
対象品目: Transistors - Bipolar (BJT) - Single
データシート: NJVMJD122T4G-VF01
説明: TRANS NPN DARL 100V 8A DPAK
rohs地位: rohs化
属性 属性値
メーカー ON Semiconductor
対象品目 Transistors - Bipolar (BJT) - Single
シリーズ -
包装 Digi-Reel®
部地位 Active
-マックス 1.75W
取付タイプ Surface Mount
パケット/場合 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
トランジスタタイプ NPN - Darlington
ベース部材番号 MJD122
作動温度 -65°C ~ 150°C (TJ)
周波数-遷移 -
サプライヤー装置パッケージ DPAK
vイス(Max) @ Ib、Ic 4V @ 8A, 80mA
現在-コレクター・Ic (Max) 8A
トラッキング・キュートフ(マックス) 10µA
DC電流利得(hFE) (Min) @ Vce 1000 @ 4A, 4V
電圧-コレクターズ・エミッター崩壊(Max 100V

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