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NJVMJD253T4G-VF01

メーカー:	ON Semiconductor
対象品目:	Transistors - Bipolar (BJT) - Single
データシート:	NJVMJD253T4G-VF01
説明:	TRANS PNP 100V 4A DPAK
rohs地位:	rohs化

属性	属性値
メーカー	ON Semiconductor
対象品目	Transistors - Bipolar (BJT) - Single
シリーズ	Automotive, AEC-Q101
包装	Digi-Reel®
部地位	Active
-マックス	12.5W
取付タイプ	Surface Mount
パケット/場合	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
トランジスタタイプ	PNP
作動温度	-65°C ~ 150°C (TJ)
周波数-遷移	40MHz
サプライヤー装置パッケージ	DPAK
vイス(Max) @ Ib、Ic	600mV @ 100mA, 1A
現在-コレクター・Ic (Max)	4A
トラッキング・キュートフ(マックス)	100nA (ICBO)
DC電流利得(hFE) (Min) @ Vce	40 @ 200mA, 1V
電圧-コレクターズ・エミッター崩壊(Max	100V