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NJVMJD31CT4G

メーカー: ON Semiconductor
対象品目: Transistors - Bipolar (BJT) - Single
データシート: NJVMJD31CT4G
説明: TRANS NPN 100V 3A DPAK
rohs地位: rohs化
属性 属性値
メーカー ON Semiconductor
対象品目 Transistors - Bipolar (BJT) - Single
シリーズ Automotive, AEC-Q101
包装 Digi-Reel®
部地位 Discontinued at Digi-Key
-マックス 1.56W
取付タイプ Surface Mount
パケット/場合 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
トランジスタタイプ NPN
作動温度 -65°C ~ 150°C (TJ)
周波数-遷移 3MHz
サプライヤー装置パッケージ DPAK
vイス(Max) @ Ib、Ic 1.2V @ 375mA, 3A
現在-コレクター・Ic (Max) 3A
トラッキング・キュートフ(マックス) 50µA
DC電流利得(hFE) (Min) @ Vce 25 @ 1A, 4V
電圧-コレクターズ・エミッター崩壊(Max 100V

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