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NJVMJD350T4G

メーカー:	ON Semiconductor
対象品目:	Transistors - Bipolar (BJT) - Single
データシート:	NJVMJD350T4G
説明:	TRANS PNP 300V 0.5A DPAK-4
rohs地位:	rohs化

属性	属性値
メーカー	ON Semiconductor
対象品目	Transistors - Bipolar (BJT) - Single
シリーズ	-
包装	Digi-Reel®
部地位	Active
-マックス	1.56W
取付タイプ	Surface Mount
パケット/場合	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
トランジスタタイプ	PNP
ベース部材番号	MJD350
作動温度	-65°C ~ 150°C (TJ)
周波数-遷移	10MHz
サプライヤー装置パッケージ	DPAK
vイス(Max) @ Ib、Ic	1V @ 10mA, 100mA
現在-コレクター・Ic (Max)	500mA
トラッキング・キュートフ(マックス)	100µA
DC電流利得(hFE) (Min) @ Vce	30 @ 50mA, 10V
電圧-コレクターズ・エミッター崩壊(Max	300V