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NJVMJD44E3T4G

メーカー:	ON Semiconductor
対象品目:	Transistors - Bipolar (BJT) - Single
データシート:	NJVMJD44E3T4G
説明:	TRANS NPN DARL 80V 10A DPAK-4
rohs地位:	rohs化

属性	属性値
メーカー	ON Semiconductor
対象品目	Transistors - Bipolar (BJT) - Single
シリーズ	-
包装	Tape & Reel (TR)
部地位	Active
-マックス	1.75W
取付タイプ	Surface Mount
パケット/場合	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
トランジスタタイプ	NPN - Darlington
作動温度	-55°C ~ 150°C (TJ)
周波数-遷移	-
サプライヤー装置パッケージ	DPAK
vイス(Max) @ Ib、Ic	2V @ 20mA, 10A
現在-コレクター・Ic (Max)	10A
トラッキング・キュートフ(マックス)	10µA
DC電流利得(hFE) (Min) @ Vce	1000 @ 5A, 5V
電圧-コレクターズ・エミッター崩壊(Max	80V