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NJVNJD35N04T4G
| メーカー: | ON Semiconductor |
|---|---|
| 対象品目: | Transistors - Bipolar (BJT) - Single |
| データシート: | NJVNJD35N04T4G |
| 説明: | TRANS NPN DARL 350V 4A DPAK-4 |
| rohs地位: | rohs化 |
| 属性 | 属性値 |
|---|---|
| メーカー | ON Semiconductor |
| 対象品目 | Transistors - Bipolar (BJT) - Single |
| シリーズ | - |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 部地位 | Active |
| -マックス | 45W |
| 取付タイプ | Surface Mount |
| パケット/場合 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| トランジスタタイプ | NPN - Darlington |
| ベース部材番号 | NJD35N04 |
| 作動温度 | -65°C ~ 150°C (TJ) |
| 周波数-遷移 | 90MHz |
| サプライヤー装置パッケージ | DPAK |
| vイス(Max) @ Ib、Ic | 1.5V @ 20mA, 2A |
| 現在-コレクター・Ic (Max) | 4A |
| トラッキング・キュートフ(マックス) | 50µA |
| DC電流利得(hFE) (Min) @ Vce | 2000 @ 2A, 2V |
| 電圧-コレクターズ・エミッター崩壊(Max | 350V |
