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NSB9435T1G

メーカー: ON Semiconductor
対象品目: Transistors - Bipolar (BJT) - Single, Pre-Biased
データシート: NSB9435T1G
説明: TRANS PREBIAS PNP 0.72W SOT223
rohs地位: rohs化
属性 属性値
メーカー ON Semiconductor
対象品目 Transistors - Bipolar (BJT) - Single, Pre-Biased
シリーズ -
包装 Tape & Reel (TR)
部地位 Active
-マックス 720mW
取付タイプ Surface Mount
パケット/場合 TO-261-4, TO-261AA
トランジスタタイプ PNP - Pre-Biased
抵抗基地(R1) 10 kOhms
周波数-遷移 110MHz
サプライヤー装置パッケージ SOT-223
vイス(Max) @ Ib、Ic 550mV @ 300mA, 3A
現在-コレクター・Ic (Max) 3A
トラッキング・キュートフ(マックス) -
DC電流利得(hFE) (Min) @ Vce 125 @ 800mA, 1V
電圧-コレクターズ・エミッター崩壊(Max 30V

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