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NSBA114TDXV6T5G
| メーカー: | ON Semiconductor |
|---|---|
| 対象品目: | Transistors - Bipolar (BJT) - Arrays, Pre-Biased |
| データシート: | NSBA114TDXV6T5G |
| 説明: | TRANS PREBIAS DUAL PNP SOT563 |
| rohs地位: | rohs化 |
| 属性 | 属性値 |
|---|---|
| メーカー | ON Semiconductor |
| 対象品目 | Transistors - Bipolar (BJT) - Arrays, Pre-Biased |
| シリーズ | - |
| 包装 | Tape & Reel (TR) |
| 部地位 | Active |
| -マックス | 500mW |
| 取付タイプ | Surface Mount |
| パケット/場合 | SOT-563, SOT-666 |
| トランジスタタイプ | 2 PNP - Pre-Biased (Dual) |
| ベース部材番号 | NSBA1* |
| 抵抗基地(R1) | 10kOhms |
| 周波数-遷移 | - |
| サプライヤー装置パッケージ | SOT-563 |
| 抵抗器−送信機基地(R2−R2) | - |
| vイス(Max) @ Ib、Ic | 250mV @ 1mA, 10mA |
| 現在-コレクター・Ic (Max) | 100mA |
| トラッキング・キュートフ(マックス) | 500nA |
| DC電流利得(hFE) (Min) @ Vce | 160 @ 5mA, 10V |
| 電圧-コレクターズ・エミッター崩壊(Max | 50V |
