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NSBA123JDP6T5G

メーカー:	ON Semiconductor
対象品目:	Transistors - Bipolar (BJT) - Arrays, Pre-Biased
データシート:	NSBA123JDP6T5G
説明:	TRANS 2PNP PREBIAS 0.408W SOT963
rohs地位:	rohs化

属性	属性値
メーカー	ON Semiconductor
対象品目	Transistors - Bipolar (BJT) - Arrays, Pre-Biased
シリーズ	-
包装	Tape & Reel (TR)
部地位	Active
-マックス	408mW
取付タイプ	Surface Mount
パケット/場合	SOT-963
トランジスタタイプ	2 PNP - Pre-Biased (Dual)
ベース部材番号	NSBA1*
抵抗基地(R1)	2.2kOhms
周波数-遷移	-
サプライヤー装置パッケージ	SOT-963
抵抗器−送信機基地(R2−R2)	47kOhms
vイス(Max) @ Ib、Ic	250mV @ 300µA, 10mA
現在-コレクター・Ic (Max)	100mA
トラッキング・キュートフ(マックス)	500nA
DC電流利得(hFE) (Min) @ Vce	80 @ 5mA, 10V
電圧-コレクターズ・エミッター崩壊(Max	50V