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NSBA143EF3T5G

メーカー: ON Semiconductor
対象品目: Transistors - Bipolar (BJT) - Single, Pre-Biased
データシート: NSBA143EF3T5G
説明: TRANS PREBIAS PNP 254MW SOT1123
rohs地位: rohs化
属性 属性値
メーカー ON Semiconductor
対象品目 Transistors - Bipolar (BJT) - Single, Pre-Biased
シリーズ -
包装 Tape & Reel (TR)
部地位 Active
-マックス 254mW
取付タイプ Surface Mount
パケット/場合 SOT-1123
トランジスタタイプ PNP - Pre-Biased
ベース部材番号 NSBA1*
抵抗基地(R1) 4.7 kOhms
サプライヤー装置パッケージ SOT-1123
抵抗器−送信機基地(R2−R2) 4.7 kOhms
vイス(Max) @ Ib、Ic 250mV @ 1mA, 10mA
現在-コレクター・Ic (Max) 100mA
トラッキング・キュートフ(マックス) 500nA
DC電流利得(hFE) (Min) @ Vce 15 @ 5mA, 10V
電圧-コレクターズ・エミッター崩壊(Max 50V

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