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NSBC113EPDXV6T1G

メーカー: ON Semiconductor
対象品目: Transistors - Bipolar (BJT) - Arrays, Pre-Biased
データシート: NSBC113EPDXV6T1G
説明: TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT563
rohs地位: rohs化
属性 属性値
メーカー ON Semiconductor
対象品目 Transistors - Bipolar (BJT) - Arrays, Pre-Biased
シリーズ -
包装 Digi-Reel®
部地位 Discontinued at Digi-Key
-マックス 500mW
取付タイプ Surface Mount
パケット/場合 SOT-563, SOT-666
トランジスタタイプ 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
抵抗基地(R1) 1kOhms
周波数-遷移 -
サプライヤー装置パッケージ SOT-563
抵抗器−送信機基地(R2−R2) 1kOhms
vイス(Max) @ Ib、Ic 250mV @ 5mA, 10mA
現在-コレクター・Ic (Max) 100mA
トラッキング・キュートフ(マックス) 500nA
DC電流利得(hFE) (Min) @ Vce 3 @ 5mA, 10V
電圧-コレクターズ・エミッター崩壊(Max 50V

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