画像は参考までに、仕様書を参照してください
NSBC115EPDXV6T1G
| メーカー: | ON Semiconductor |
|---|---|
| 対象品目: | Transistors - Bipolar (BJT) - Arrays, Pre-Biased |
| データシート: | NSBC115EPDXV6T1G |
| 説明: | SS SOT563 RSTR XSTR TR |
| rohs地位: | rohs化 |
| 属性 | 属性値 |
|---|---|
| メーカー | ON Semiconductor |
| 対象品目 | Transistors - Bipolar (BJT) - Arrays, Pre-Biased |
| シリーズ | Automotive, AEC-Q101 |
| 部地位 | Active |
| -マックス | 357mW |
| 取付タイプ | Surface Mount |
| パケット/場合 | SOT-563, SOT-666 |
| トランジスタタイプ | 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) |
| 抵抗基地(R1) | 100kOhms |
| 周波数-遷移 | - |
| サプライヤー装置パッケージ | SOT-563 |
| 抵抗器−送信機基地(R2−R2) | 100kOhms |
| vイス(Max) @ Ib、Ic | 250mV @ 300µA, 10mA |
| 現在-コレクター・Ic (Max) | 100mA |
| トラッキング・キュートフ(マックス) | 500nA |
| DC電流利得(hFE) (Min) @ Vce | 80 @ 5mA, 10V |
| 電圧-コレクターズ・エミッター崩壊(Max | 50V |
在庫が 96 pcs
| いや「参考価格 ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
|---|---|---|---|
| $0.07 | $0.07 | $0.07 |
最小: 1
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