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NSBC124EPDP6T5G

メーカー: ON Semiconductor
対象品目: Transistors - Bipolar (BJT) - Arrays, Pre-Biased
データシート: NSBC124EPDP6T5G
説明: TRANS PREBIAS NPN 254MW SOT963
rohs地位: rohs化
属性 属性値
メーカー ON Semiconductor
対象品目 Transistors - Bipolar (BJT) - Arrays, Pre-Biased
シリーズ -
包装 Tape & Reel (TR)
部地位 Active
-マックス 250mW
取付タイプ Surface Mount
パケット/場合 SOT-963
トランジスタタイプ 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
抵抗基地(R1) 22kOhms
周波数-遷移 -
サプライヤー装置パッケージ SOT-963
抵抗器−送信機基地(R2−R2) 22kOhms
vイス(Max) @ Ib、Ic 250mV @ 300µA, 10mA
現在-コレクター・Ic (Max) 100mA
トラッキング・キュートフ(マックス) 500nA
DC電流利得(hFE) (Min) @ Vce 60 @ 5mA, 10V
電圧-コレクターズ・エミッター崩壊(Max 50V

在庫が 60 pcs

いや「参考価格 ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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最小: 1

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