Image is for reference only , details as Specifications

NSBC143EPDXV6T1G

メーカー: ON Semiconductor
対象品目: Transistors - Bipolar (BJT) - Arrays, Pre-Biased
データシート: NSBC143EPDXV6T1G
説明: TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT563
rohs地位: rohs化
属性 属性値
メーカー ON Semiconductor
対象品目 Transistors - Bipolar (BJT) - Arrays, Pre-Biased
シリーズ -
包装 Tape & Reel (TR)
部地位 Active
-マックス 500mW
取付タイプ Surface Mount
パケット/場合 SOT-563, SOT-666
トランジスタタイプ 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
ベース部材番号 NSBC1*
抵抗基地(R1) 4.7kOhms
周波数-遷移 -
サプライヤー装置パッケージ SOT-563
抵抗器−送信機基地(R2−R2) 4.7kOhms
vイス(Max) @ Ib、Ic 250mV @ 1mA, 10mA
現在-コレクター・Ic (Max) 100mA
トラッキング・キュートフ(マックス) 500nA
DC電流利得(hFE) (Min) @ Vce 15 @ 5mA, 10V
電圧-コレクターズ・エミッター崩壊(Max 50V

在庫が 68 pcs

いや「参考価格 ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$0.10 $0.10 $0.10
最小: 1

要求引用

下の書類に記入して、できるだけ早くご連絡します

Bargain Finds

NSBC143EDXV6T1G
ON Semiconductor
$0.1
NSBC114TPDXV6T1G
ON Semiconductor
$0.1
FMA8AT148
ROHM Semiconductor
$0
UMF21NTR
ROHM Semiconductor
$0
BCR523UE6327HTSA1
Infineon Technologies
$0.1