NSM46211DW6T1G
メーカー: | ON Semiconductor |
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対象品目: | Transistors - Bipolar (BJT) - Arrays, Pre-Biased |
データシート: | NSM46211DW6T1G |
説明: | TRANS NPN PREBIAS/NPN SOT363 |
rohs地位: | rohs化 |
属性 | 属性値 |
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メーカー | ON Semiconductor |
対象品目 | Transistors - Bipolar (BJT) - Arrays, Pre-Biased |
シリーズ | - |
包装 | Tape & Reel (TR) |
部地位 | Obsolete |
-マックス | 230mW |
取付タイプ | Surface Mount |
パケット/場合 | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
トランジスタタイプ | 1 NPN Pre-Biased, 1 NPN |
抵抗基地(R1) | 10kOhms |
周波数-遷移 | - |
サプライヤー装置パッケージ | SC-88/SC70-6/SOT-363 |
抵抗器−送信機基地(R2−R2) | 10kOhms |
vイス(Max) @ Ib、Ic | 250mV @ 300µA, 10mA / 600mV @ 5mA, 100mA |
現在-コレクター・Ic (Max) | 100mA |
トラッキング・キュートフ(マックス) | 500nA |
DC電流利得(hFE) (Min) @ Vce | 35 @ 5mA, 10V / 200 @ 2mA, 5V |
電圧-コレクターズ・エミッター崩壊(Max | 50V, 65V |
在庫が 88 pcs
いや「参考価格 ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
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最小: 1