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NSM46211DW6T1G

メーカー: ON Semiconductor
対象品目: Transistors - Bipolar (BJT) - Arrays, Pre-Biased
データシート: NSM46211DW6T1G
説明: TRANS NPN PREBIAS/NPN SOT363
rohs地位: rohs化
属性 属性値
メーカー ON Semiconductor
対象品目 Transistors - Bipolar (BJT) - Arrays, Pre-Biased
シリーズ -
包装 Tape & Reel (TR)
部地位 Obsolete
-マックス 230mW
取付タイプ Surface Mount
パケット/場合 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
トランジスタタイプ 1 NPN Pre-Biased, 1 NPN
抵抗基地(R1) 10kOhms
周波数-遷移 -
サプライヤー装置パッケージ SC-88/SC70-6/SOT-363
抵抗器−送信機基地(R2−R2) 10kOhms
vイス(Max) @ Ib、Ic 250mV @ 300µA, 10mA / 600mV @ 5mA, 100mA
現在-コレクター・Ic (Max) 100mA
トラッキング・キュートフ(マックス) 500nA
DC電流利得(hFE) (Min) @ Vce 35 @ 5mA, 10V / 200 @ 2mA, 5V
電圧-コレクターズ・エミッター崩壊(Max 50V, 65V

在庫が 88 pcs

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