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NST856BF3T5G

メーカー:	ON Semiconductor
対象品目:	Transistors - Bipolar (BJT) - Single
データシート:	NST856BF3T5G
説明:	TRANS PNP 65V 0.1A SOT-1123
rohs地位:	rohs化

属性	属性値
メーカー	ON Semiconductor
対象品目	Transistors - Bipolar (BJT) - Single
シリーズ	-
包装	Tape & Reel (TR)
部地位	Active
-マックス	290mW
取付タイプ	Surface Mount
パケット/場合	SOT-1123
トランジスタタイプ	PNP
作動温度	-55°C ~ 150°C (TJ)
周波数-遷移	100MHz
サプライヤー装置パッケージ	SOT-1123
vイス(Max) @ Ib、Ic	800mV @ 5mA, 100mA
現在-コレクター・Ic (Max)	100mA
トラッキング・キュートフ(マックス)	15nA (ICBO)
DC電流利得(hFE) (Min) @ Vce	220 @ 2mA, 5V
電圧-コレクターズ・エミッター崩壊(Max	65V