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NSV12200LT1G

メーカー:	ON Semiconductor
対象品目:	Transistors - Bipolar (BJT) - Single
データシート:	NSV12200LT1G
説明:	TRANS PNP 12V 2A SOT23
rohs地位:	rohs化

属性	属性値
メーカー	ON Semiconductor
対象品目	Transistors - Bipolar (BJT) - Single
シリーズ	Automotive, AEC-Q101
包装	Tape & Reel (TR)
部地位	Active
-マックス	540mW
取付タイプ	Surface Mount
パケット/場合	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
トランジスタタイプ	PNP
作動温度	-55°C ~ 150°C (TJ)
周波数-遷移	100MHz
サプライヤー装置パッケージ	SOT-23-3 (TO-236)
vイス(Max) @ Ib、Ic	180mV @ 200mA, 2A
現在-コレクター・Ic (Max)	2A
トラッキング・キュートフ(マックス)	100nA (ICBO)
DC電流利得(hFE) (Min) @ Vce	250 @ 500mA, 2V
電圧-コレクターズ・エミッター崩壊(Max	12V