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NSV20101JT1G

メーカー:	ON Semiconductor
対象品目:	Transistors - Bipolar (BJT) - Single
データシート:	NSV20101JT1G
説明:	TRANS NPN 20V 1A 89SC3
rohs地位:	rohs化

属性	属性値
メーカー	ON Semiconductor
対象品目	Transistors - Bipolar (BJT) - Single
シリーズ	-
包装	Tape & Reel (TR)
部地位	Active
-マックス	255mW
取付タイプ	Surface Mount
パケット/場合	SC-89, SOT-490
トランジスタタイプ	NPN
作動温度	-55°C ~ 150°C (TJ)
周波数-遷移	350MHz
サプライヤー装置パッケージ	SC-89-3
vイス(Max) @ Ib、Ic	220mV @ 100mA, 1A
現在-コレクター・Ic (Max)	1A
トラッキング・キュートフ(マックス)	100nA (ICBO)
DC電流利得(hFE) (Min) @ Vce	200 @ 100mA, 2V
電圧-コレクターズ・エミッター崩壊(Max	20V