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NSV40301MDR2G

メーカー:	ON Semiconductor
対象品目:	Transistors - Bipolar (BJT) - Arrays
データシート:	NSV40301MDR2G
説明:	TRANS 2NPN 40V 3A 8SOIC
rohs地位:	rohs化

属性	属性値
メーカー	ON Semiconductor
対象品目	Transistors - Bipolar (BJT) - Arrays
シリーズ	-
包装	Tape & Reel (TR)
部地位	Active
-マックス	653mW
取付タイプ	Surface Mount
パケット/場合	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
トランジスタタイプ	2 NPN (Dual)
作動温度	-55°C ~ 150°C (TJ)
周波数-遷移	100MHz
サプライヤー装置パッケージ	8-SOIC
vイス(Max) @ Ib、Ic	115mV @ 200mA, 2A
現在-コレクター・Ic (Max)	3A
トラッキング・キュートフ(マックス)	100nA (ICBO)
DC電流利得(hFE) (Min) @ Vce	180 @ 2A, 2V
電圧-コレクターズ・エミッター崩壊(Max	40V