画像は参考までに、仕様書を参照してください
NSV60101DMR6T1G
| メーカー: | ON Semiconductor |
|---|---|
| 対象品目: | Transistors - Bipolar (BJT) - Arrays |
| データシート: | NSV60101DMR6T1G |
| 説明: | 60V, 1A DUAL NPN LOW VCE( |
| rohs地位: | rohs化 |
| 属性 | 属性値 |
|---|---|
| メーカー | ON Semiconductor |
| 対象品目 | Transistors - Bipolar (BJT) - Arrays |
| シリーズ | Automotive, AEC-Q101 |
| 部地位 | Active |
| -マックス | 530mW |
| 取付タイプ | Surface Mount |
| パケット/場合 | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
| トランジスタタイプ | 2 NPN (Dual) |
| 作動温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 周波数-遷移 | 200MHz |
| サプライヤー装置パッケージ | SC-74 |
| vイス(Max) @ Ib、Ic | 200mV @ 100mA, 1A |
| 現在-コレクター・Ic (Max) | 1A |
| トラッキング・キュートフ(マックス) | 100nA (ICBO) |
| DC電流利得(hFE) (Min) @ Vce | 250 @ 100mA, 5V |
| 電圧-コレクターズ・エミッター崩壊(Max | 60V |
在庫が 57 pcs
| いや「参考価格 ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
|---|---|---|---|
| $0.14 | $0.14 | $0.13 |
最小: 1
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