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NSVBCW32LT1G

メーカー:	ON Semiconductor
対象品目:	Transistors - Bipolar (BJT) - Single
データシート:	NSVBCW32LT1G
説明:	TRANS NPN 32V 0.1A SOT23
rohs地位:	rohs化

属性	属性値
メーカー	ON Semiconductor
対象品目	Transistors - Bipolar (BJT) - Single
シリーズ	-
包装	Tape & Reel (TR)
部地位	Active
-マックス	225mW
取付タイプ	Surface Mount
パケット/場合	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
トランジスタタイプ	NPN
作動温度	-55°C ~ 150°C (TJ)
周波数-遷移	-
サプライヤー装置パッケージ	SOT-23-3 (TO-236)
vイス(Max) @ Ib、Ic	250mV @ 500µA, 10mA
現在-コレクター・Ic (Max)	100mA
トラッキング・キュートフ(マックス)	100nA (ICBO)
DC電流利得(hFE) (Min) @ Vce	200 @ 2mA, 5V
電圧-コレクターズ・エミッター崩壊(Max	32V