NSVEMD4DXV6T5G
メーカー: | ON Semiconductor |
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対象品目: | Transistors - Bipolar (BJT) - Arrays, Pre-Biased |
データシート: | NSVEMD4DXV6T5G |
説明: | TRANS NPN/PNP DUAL BRT SOT563 |
rohs地位: | rohs化 |
属性 | 属性値 |
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メーカー | ON Semiconductor |
対象品目 | Transistors - Bipolar (BJT) - Arrays, Pre-Biased |
シリーズ | - |
包装 | Tape & Reel (TR) |
部地位 | Active |
-マックス | 500mW |
取付タイプ | Surface Mount |
パケット/場合 | SOT-563, SOT-666 |
トランジスタタイプ | 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) |
抵抗基地(R1) | 47kOhms, 10kOhms |
周波数-遷移 | - |
サプライヤー装置パッケージ | SOT-563 |
抵抗器−送信機基地(R2−R2) | 47kOhms |
vイス(Max) @ Ib、Ic | 250mV @ 300µA, 10mA |
現在-コレクター・Ic (Max) | 100mA |
トラッキング・キュートフ(マックス) | 500nA |
DC電流利得(hFE) (Min) @ Vce | 80 @ 5mA, 10V |
電圧-コレクターズ・エミッター崩壊(Max | 50V |
在庫が 76 pcs
いや「参考価格 ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
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$0.11 | $0.11 | $0.11 |
最小: 1