NSVIMD10AMT1G
メーカー: | ON Semiconductor |
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対象品目: | Transistors - Bipolar (BJT) - Arrays, Pre-Biased |
データシート: | NSVIMD10AMT1G |
説明: | SURF MT BIASED RES XSTR |
rohs地位: | rohs化 |
属性 | 属性値 |
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メーカー | ON Semiconductor |
対象品目 | Transistors - Bipolar (BJT) - Arrays, Pre-Biased |
シリーズ | Automotive, AEC-Q101 |
包装 | Digi-Reel® |
部地位 | Active |
-マックス | 285mW |
取付タイプ | Surface Mount |
パケット/場合 | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
トランジスタタイプ | 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) |
抵抗基地(R1) | 13kOhms, 130Ohms |
周波数-遷移 | - |
サプライヤー装置パッケージ | SC-74R |
抵抗器−送信機基地(R2−R2) | 10kOhms |
vイス(Max) @ Ib、Ic | 300mV @ 1mA, 10mA |
現在-コレクター・Ic (Max) | 500mA |
トラッキング・キュートフ(マックス) | 500nA |
DC電流利得(hFE) (Min) @ Vce | 100 @ 1mA, 5V / 68 @ 100mA, 5V |
電圧-コレクターズ・エミッター崩壊(Max | 50V |
在庫が 2999 pcs
いや「参考価格 ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
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$0.00 | $0.00 | $0.00 |
最小: 1