NSVMMBT6517LT1G
メーカー: | ON Semiconductor |
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対象品目: | Transistors - Bipolar (BJT) - Single |
データシート: | NSVMMBT6517LT1G |
説明: | TRANS NPN 350V 0.1A SOT23 |
rohs地位: | rohs化 |
属性 | 属性値 |
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メーカー | ON Semiconductor |
対象品目 | Transistors - Bipolar (BJT) - Single |
シリーズ | - |
包装 | Tape & Reel (TR) |
部地位 | Obsolete |
-マックス | 225mW |
取付タイプ | Surface Mount |
パケット/場合 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
トランジスタタイプ | NPN |
作動温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
周波数-遷移 | 200MHz |
サプライヤー装置パッケージ | SOT-23-3 (TO-236) |
vイス(Max) @ Ib、Ic | 1V @ 5mA, 50mA |
現在-コレクター・Ic (Max) | 100mA |
トラッキング・キュートフ(マックス) | 50nA (ICBO) |
DC電流利得(hFE) (Min) @ Vce | 20 @ 50mA, 10V |
電圧-コレクターズ・エミッター崩壊(Max | 350V |
在庫が 75 pcs
いや「参考価格 ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
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$0.00 | $0.00 | $0.00 |
最小: 1