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NSVMMUN2132LT1G

メーカー:	ON Semiconductor
対象品目:	Transistors - Bipolar (BJT) - Single, Pre-Biased
データシート:	NSVMMUN2132LT1G
説明:	TRANS PREBIAS PNP 246MW SOT23-3
rohs地位:	rohs化

属性	属性値
メーカー	ON Semiconductor
対象品目	Transistors - Bipolar (BJT) - Single, Pre-Biased
シリーズ	-
包装	Tape & Reel (TR)
部地位	Active
-マックス	246mW
取付タイプ	Surface Mount
パケット/場合	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
トランジスタタイプ	PNP - Pre-Biased
ベース部材番号	MMUN21**L
抵抗基地(R1)	4.7 kOhms
サプライヤー装置パッケージ	SOT-23-3 (TO-236)
抵抗器−送信機基地(R2−R2)	4.7 kOhms
vイス(Max) @ Ib、Ic	250mV @ 1mA, 10mA
現在-コレクター・Ic (Max)	100mA
トラッキング・キュートフ(マックス)	500nA
DC電流利得(hFE) (Min) @ Vce	15 @ 5mA, 10V
電圧-コレクターズ・エミッター崩壊(Max	50V