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NSVMMUN2235LT1G

メーカー: ON Semiconductor
対象品目: Transistors - Bipolar (BJT) - Single, Pre-Biased
データシート: NSVMMUN2235LT1G
説明: TRANS PREBIAS NPN 0.246W SOT23-3
rohs地位: rohs化
属性 属性値
メーカー ON Semiconductor
対象品目 Transistors - Bipolar (BJT) - Single, Pre-Biased
シリーズ Automotive, AEC-Q101
包装 Digi-Reel®
部地位 Active
-マックス 246mW
取付タイプ Surface Mount
パケット/場合 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
トランジスタタイプ NPN - Pre-Biased
抵抗基地(R1) 2.2 kOhms
サプライヤー装置パッケージ SOT-23-3 (TO-236)
抵抗器−送信機基地(R2−R2) 47 kOhms
vイス(Max) @ Ib、Ic 250mV @ 1mA, 10mA
現在-コレクター・Ic (Max) 100mA
トラッキング・キュートフ(マックス) 500nA
DC電流利得(hFE) (Min) @ Vce 80 @ 5mA, 10V
電圧-コレクターズ・エミッター崩壊(Max 50V

在庫が 58325 pcs

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