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NSVMSB1218A-RT1G

メーカー: ON Semiconductor
対象品目: Transistors - Bipolar (BJT) - Single
データシート: NSVMSB1218A-RT1G
説明: TRANS PNP BIPOLAR SOT323-3
rohs地位: rohs化
属性 属性値
メーカー ON Semiconductor
対象品目 Transistors - Bipolar (BJT) - Single
シリーズ Automotive, AEC-Q101
包装 Tape & Reel (TR)
部地位 Active
-マックス 150mW
取付タイプ Surface Mount
パケット/場合 SC-70, SOT-323
トランジスタタイプ PNP
作動温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
周波数-遷移 -
サプライヤー装置パッケージ SC-70-3 (SOT323)
vイス(Max) @ Ib、Ic 500mV @ 10mA, 100mA
現在-コレクター・Ic (Max) 100mA
トラッキング・キュートフ(マックス) 100µA
DC電流利得(hFE) (Min) @ Vce 210 @ 2mA, 10V
電圧-コレクターズ・エミッター崩壊(Max 45V

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