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NSVMUN5133DW1T1G

メーカー: ON Semiconductor
対象品目: Transistors - Bipolar (BJT) - Arrays, Pre-Biased
データシート: NSVMUN5133DW1T1G
説明: TRANS 2PNP BRT BIPO SOT363-6
rohs地位: rohs化
属性 属性値
メーカー ON Semiconductor
対象品目 Transistors - Bipolar (BJT) - Arrays, Pre-Biased
シリーズ Automotive, AEC-Q101
包装 Tape & Reel (TR)
部地位 Active
-マックス 250mW
取付タイプ Surface Mount
パケット/場合 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
トランジスタタイプ 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
抵抗基地(R1) 4.7kOhms
周波数-遷移 -
サプライヤー装置パッケージ SC-88/SC70-6/SOT-363
抵抗器−送信機基地(R2−R2) 47kOhms
vイス(Max) @ Ib、Ic 250mV @ 300µA, 10mA
現在-コレクター・Ic (Max) 100mA
トラッキング・キュートフ(マックス) 500nA
DC電流利得(hFE) (Min) @ Vce 80 @ 5mA, 10V
電圧-コレクターズ・エミッター崩壊(Max 50V

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