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NTD18N06LT4G

メーカー: ON Semiconductor
対象品目: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
データシート: NTD18N06LT4G
説明: MOSFET N-CH 60V 18A DPAK
rohs地位: rohs化
属性 属性値
メーカー ON Semiconductor
対象品目 Transistors - FETs, MOSFETs - Single
シリーズ -
fet234タイプ N-Channel
包装 Digi-Reel®
vgs max ±15V
技術 MOSFET (Metal Oxide)
fet特徴 -
部地位 Active
取付タイプ Surface Mount
パケット/場合 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Vgs(th) (Max) @ Id 2V @ 250µA
作動温度 -55°C ~ 175°C (TJ)
Rdsデータ(Max) @ Vgs 65mOhm @ 9A, 5V
電力放蕩(マックス) 2.1W (Ta), 55W (Tj)
サプライヤー装置パッケージ DPAK
ゲートチャージ(Qg) (Max) @ Vgs 22nC @ 5V
ソース電圧(Vdss)へドレインする。 60V
入力容量(Ciss) (Max) @ Vds 675pF @ 25V
現在25%で安全連続(id) @°c 18A (Ta)
駆動電圧(Max Rdsオン、Min Rdsオン) 5V

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