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NTD3808N-1G
| メーカー: | ON Semiconductor |
|---|---|
| 対象品目: | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
| データシート: | NTD3808N-1G |
| 説明: | MOSFET N-CH 16V 12A IPAK |
| rohs地位: | rohs化 |
| 属性 | 属性値 |
|---|---|
| メーカー | ON Semiconductor |
| 対象品目 | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
| シリーズ | - |
| fet234タイプ | N-Channel |
| 包装 | Tube |
| vgs max | ±16V |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
| fet特徴 | - |
| 部地位 | Obsolete |
| 取付タイプ | Through Hole |
| パケット/場合 | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
| 作動温度 | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Rdsデータ(Max) @ Vgs | 5.8mOhm @ 15A, 10V |
| 電力放蕩(マックス) | 1.3W (Ta), 52W (Tc) |
| サプライヤー装置パッケージ | I-PAK |
| ゲートチャージ(Qg) (Max) @ Vgs | 21nC @ 4.5V |
| ソース電圧(Vdss)へドレインする。 | 16V |
| 入力容量(Ciss) (Max) @ Vds | 1660pF @ 12V |
| 現在25%で安全連続(id) @°c | 12A (Ta), 76A (Tc) |
| 駆動電圧(Max Rdsオン、Min Rdsオン) | 4.5V, 10V |
