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NTD4979N-35G

メーカー:	ON Semiconductor
対象品目:	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
データシート:	NTD4979N-35G
説明:	MOSFET N-CH 30V 9.4A IPAK TRIMME
rohs地位:	rohs化

属性	属性値
メーカー	ON Semiconductor
対象品目	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
シリーズ	-
fet234タイプ	N-Channel
包装	Tube
vgs max	±20V
技術	MOSFET (Metal Oxide)
fet特徴	-
部地位	Active
取付タイプ	Through Hole
パケット/場合	TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Vgs(th) (Max) @ Id	2.5V @ 250µA
作動温度	-55°C ~ 175°C (TJ)
Rdsデータ(Max) @ Vgs	9mOhm @ 30A, 10V
電力放蕩(マックス)	1.38W (Ta), 26.3W (Tc)
サプライヤー装置パッケージ	I-PAK
ゲートチャージ(Qg) (Max) @ Vgs	16.5nC @ 10V
ソース電圧(Vdss)へドレインする。	30V
入力容量(Ciss) (Max) @ Vds	837pF @ 15V
現在25%で安全連続(id) @°c	9.4A (Ta), 41A (Tc)
駆動電圧(Max Rdsオン、Min Rdsオン)	4.5V, 10V