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NTGD4169FT1G

メーカー:	ON Semiconductor
対象品目:	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
データシート:	NTGD4169FT1G
説明:	MOSFET N-CH 30V 2.6A 6-TSOP
rohs地位:	rohs化

属性	属性値
メーカー	ON Semiconductor
対象品目	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
シリーズ	-
fet234タイプ	N-Channel
包装	Tape & Reel (TR)
vgs max	±12V
技術	MOSFET (Metal Oxide)
fet特徴	Schottky Diode (Isolated)
部地位	Obsolete
取付タイプ	Surface Mount
パケット/場合	SOT-23-6
Vgs(th) (Max) @ Id	1.5V @ 250µA
作動温度	-25°C ~ 150°C (TJ)
Rdsデータ(Max) @ Vgs	90mOhm @ 2.6A, 4.5V
電力放蕩(マックス)	900mW (Ta)
サプライヤー装置パッケージ	6-TSOP
ゲートチャージ(Qg) (Max) @ Vgs	5.5nC @ 4.5V
ソース電圧(Vdss)へドレインする。	30V
入力容量(Ciss) (Max) @ Vds	295pF @ 15V
現在25%で安全連続(id) @°c	2.6A (Ta)
駆動電圧(Max Rdsオン、Min Rdsオン)	2.5V, 4.5V