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NTHL080N120SC1

メーカー:	ON Semiconductor
対象品目:	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
データシート:	NTHL080N120SC1
説明:	SIC MOS TO247 80MW 1200V
rohs地位:	rohs化

属性	属性値
メーカー	ON Semiconductor
対象品目	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
シリーズ	-
fet234タイプ	N-Channel
vgs max	+25V, -15V
技術	SiCFET (Silicon Carbide)
fet特徴	-
部地位	Active
取付タイプ	Through Hole
パケット/場合	TO-247-3
Vgs(th) (Max) @ Id	4.3V @ 5mA
作動温度	-55°C ~ 150°C (TJ)
Rdsデータ(Max) @ Vgs	110mOhm @ 20A, 20V
電力放蕩(マックス)	348W (Tc)
サプライヤー装置パッケージ	TO-247-3
ゲートチャージ(Qg) (Max) @ Vgs	56nC @ 20V
ソース電圧(Vdss)へドレインする。	1200V
入力容量(Ciss) (Max) @ Vds	1670pF @ 800V
現在25%で安全連続(id) @°c	44A (Tc)
駆動電圧(Max Rdsオン、Min Rdsオン)	20V