NTLJS1102PTAG
メーカー: | ON Semiconductor |
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対象品目: | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
データシート: | NTLJS1102PTAG |
説明: | MOSFET P-CH 8V 3.7A 6-WDFN |
rohs地位: | rohs化 |
属性 | 属性値 |
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メーカー | ON Semiconductor |
対象品目 | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
シリーズ | - |
fet234タイプ | P-Channel |
包装 | Tape & Reel (TR) |
vgs max | ±6V |
技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
fet特徴 | - |
部地位 | Obsolete |
取付タイプ | Surface Mount |
パケット/場合 | 6-WDFN Exposed Pad |
Vgs(th) (Max) @ Id | 720mV @ 250µA |
作動温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Rdsデータ(Max) @ Vgs | 36mOhm @ 6.2A, 4.5V |
電力放蕩(マックス) | 700mW (Ta) |
サプライヤー装置パッケージ | 6-WDFN (2x2) |
ゲートチャージ(Qg) (Max) @ Vgs | 25nC @ 4.5V |
ソース電圧(Vdss)へドレインする。 | 8V |
入力容量(Ciss) (Max) @ Vds | 1585pF @ 4V |
現在25%で安全連続(id) @°c | 3.7A (Ta) |
駆動電圧(Max Rdsオン、Min Rdsオン) | 1.2V, 4.5V |
在庫が 98 pcs
いや「参考価格 ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
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最小: 1