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NTMSD3P303R2G

メーカー: ON Semiconductor
対象品目: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
データシート: NTMSD3P303R2G
説明: MOSFET P-CH 30V 2.34A 8-SOIC
rohs地位: rohs化
属性 属性値
メーカー ON Semiconductor
対象品目 Transistors - FETs, MOSFETs - Single
シリーズ FETKY™
fet234タイプ P-Channel
包装 Tape & Reel (TR)
vgs max ±20V
技術 MOSFET (Metal Oxide)
fet特徴 Schottky Diode (Isolated)
部地位 Obsolete
取付タイプ Surface Mount
パケット/場合 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Vgs(th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA
作動温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
Rdsデータ(Max) @ Vgs 85mOhm @ 3.05A, 10V
電力放蕩(マックス) 730mW (Ta)
サプライヤー装置パッケージ 8-SOIC
ゲートチャージ(Qg) (Max) @ Vgs 25nC @ 10V
ソース電圧(Vdss)へドレインする。 30V
入力容量(Ciss) (Max) @ Vds 750pF @ 24V
現在25%で安全連続(id) @°c 2.34A (Ta)
駆動電圧(Max Rdsオン、Min Rdsオン) 4.5V, 10V

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