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NVD5863NLT4G

メーカー:	ON Semiconductor
対象品目:	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
データシート:	NVD5863NLT4G
説明:	MOSFET N-CH 60V 14.9A DPAK
rohs地位:	rohs化

属性	属性値
メーカー	ON Semiconductor
対象品目	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
シリーズ	-
fet234タイプ	N-Channel
包装	Digi-Reel®
vgs max	±20V
技術	MOSFET (Metal Oxide)
fet特徴	-
部地位	Discontinued at Digi-Key
取付タイプ	Surface Mount
パケット/場合	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Vgs(th) (Max) @ Id	3V @ 250µA
作動温度	-55°C ~ 175°C (TJ)
Rdsデータ(Max) @ Vgs	7.1mOhm @ 41A, 10V
電力放蕩(マックス)	3.1W (Ta), 96W (Tc)
サプライヤー装置パッケージ	DPAK
ゲートチャージ(Qg) (Max) @ Vgs	70nC @ 10V
ソース電圧(Vdss)へドレインする。	60V
入力容量(Ciss) (Max) @ Vds	3850pF @ 25V
現在25%で安全連続(id) @°c	14.9A (Ta), 82A (Tc)
駆動電圧(Max Rdsオン、Min Rdsオン)	4.5V, 10V