画像は参考までに、仕様書を参照してください
NVMFD6H852NLT1G
| メーカー: | ON Semiconductor |
|---|---|
| 対象品目: | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
| データシート: | NVMFD6H852NLT1G |
| 説明: | FET NCH 80V |
| rohs地位: | rohs化 |
| 属性 | 属性値 |
|---|---|
| メーカー | ON Semiconductor |
| 対象品目 | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
| シリーズ | Automotive, AEC-Q101 |
| fet234タイプ | N-Channel |
| 包装 | Tape & Reel (TR) |
| vgs max | ±20V |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
| 部地位 | Active |
| 取付タイプ | Surface Mount |
| パケット/場合 | 8-PowerTDFN |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2V @ 26µA |
| 作動温度 | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Rdsデータ(Max) @ Vgs | 25.5mOhm @ 10A, 10V |
| 電力放蕩(マックス) | 3.2W (Ta), 38W (Tc) |
| サプライヤー装置パッケージ | 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual) |
| ゲートチャージ(Qg) (Max) @ Vgs | 10nC @ 10V |
| ソース電圧(Vdss)へドレインする。 | 80V |
| 入力容量(Ciss) (Max) @ Vds | 521pF @ 40V |
| 現在25%で安全連続(id) @°c | 7A (Ta), 25A (Tc) |
| 駆動電圧(Max Rdsオン、Min Rdsオン) | 4.5V, 10V |
在庫が 63 pcs
| いや「参考価格 ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
|---|---|---|---|
| $0.42 | $0.41 | $0.40 |
最小: 1
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