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NVMFD6H852NLWFT1G

メーカー:	ON Semiconductor
対象品目:	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
データシート:	NVMFD6H852NLWFT1G
説明:	FET NCH 80V
rohs地位:	rohs化

属性	属性値
メーカー	ON Semiconductor
対象品目	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
シリーズ	Automotive, AEC-Q101
fet234タイプ	N-Channel
包装	Tape & Reel (TR)
vgs max	±20V
技術	MOSFET (Metal Oxide)
部地位	Active
取付タイプ	Surface Mount
パケット/場合	8-PowerTDFN
Vgs(th) (Max) @ Id	2V @ 26µA
作動温度	-55°C ~ 175°C (TJ)
Rdsデータ(Max) @ Vgs	25.5mOhm @ 10A, 10V
電力放蕩(マックス)	3.2W (Ta), 38W (Tc)
サプライヤー装置パッケージ	8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
ゲートチャージ(Qg) (Max) @ Vgs	10nC @ 10V
ソース電圧(Vdss)へドレインする。	80V
入力容量(Ciss) (Max) @ Vds	521pF @ 40V
現在25%で安全連続(id) @°c	7A (Ta), 25A (Tc)
駆動電圧(Max Rdsオン、Min Rdsオン)	4.5V, 10V