NVMFS6B03NLT1G
メーカー: | ON Semiconductor |
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対象品目: | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
データシート: | NVMFS6B03NLT1G |
説明: | MOSFET N-CH 100V 20A 5DFN |
rohs地位: | rohs化 |
属性 | 属性値 |
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メーカー | ON Semiconductor |
対象品目 | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
シリーズ | Automotive, AEC-Q101 |
fet234タイプ | N-Channel |
包装 | Tape & Reel (TR) |
vgs max | ±16V |
技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
fet特徴 | - |
部地位 | Active |
取付タイプ | Surface Mount |
パケット/場合 | 8-PowerTDFN |
Vgs(th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
作動温度 | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Rdsデータ(Max) @ Vgs | 4mOhm @ 20A, 10V |
電力放蕩(マックス) | 3.9W (Ta), 198W (Tc) |
サプライヤー装置パッケージ | 5-DFN (5x6) (8-SOFL) |
ゲートチャージ(Qg) (Max) @ Vgs | 9.4nC @ 10V |
ソース電圧(Vdss)へドレインする。 | 100V |
入力容量(Ciss) (Max) @ Vds | 5320pF @ 25V |
駆動電圧(Max Rdsオン、Min Rdsオン) | 4.5V, 10V |