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NVMFSW6D1N08HT1G

メーカー:	ON Semiconductor
対象品目:	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
データシート:	NVMFSW6D1N08HT1G
説明:	T8 80V 1 PART PROLIFERATI
rohs地位:	rohs化

属性	属性値
メーカー	ON Semiconductor
対象品目	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
シリーズ	Automotive, AEC-Q101
fet234タイプ	N-Channel
包装	-
vgs max	±20V
技術	MOSFET (Metal Oxide)
fet特徴	-
部地位	Active
取付タイプ	Surface Mount
パケット/場合	8-PowerTDFN, 5 Leads
Vgs(th) (Max) @ Id	4V @ 120µA
作動温度	-55°C ~ 175°C (TJ)
Rdsデータ(Max) @ Vgs	5.5mOhm @ 20A, 10V
電力放蕩(マックス)	3.8W (Ta), 104W (Tc)
サプライヤー装置パッケージ	5-DFN (5x6) (8-SOFL)
ゲートチャージ(Qg) (Max) @ Vgs	32nC @ 10V
ソース電圧(Vdss)へドレインする。	80V
入力容量(Ciss) (Max) @ Vds	2085pF @ 40V
現在25%で安全連続(id) @°c	17A (Ta), 89A (Tc)
駆動電圧(Max Rdsオン、Min Rdsオン)	10V