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NVMYS4D1N06CLTWG

メーカー: ON Semiconductor
対象品目: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
データシート: NVMYS4D1N06CLTWG
説明: T6 60V LL LFPAK
rohs地位: rohs化
属性 属性値
メーカー ON Semiconductor
対象品目 Transistors - FETs, MOSFETs - Single
シリーズ Automotive, AEC-Q101
fet234タイプ N-Channel
包装 Tape & Reel (TR)
vgs max ±20V
技術 MOSFET (Metal Oxide)
fet特徴 -
部地位 Active
取付タイプ Surface Mount
パケット/場合 SOT-1023, 4-LFPAK
Vgs(th) (Max) @ Id 2V @ 80µA
作動温度 -55°C ~ 175°C (TJ)
Rdsデータ(Max) @ Vgs 4mOhm @ 50A, 10V
電力放蕩(マックス) 3.7W (Ta), 79W (Tc)
サプライヤー装置パッケージ LFPAK4 (5x6)
ゲートチャージ(Qg) (Max) @ Vgs 34nC @ 10V
ソース電圧(Vdss)へドレインする。 60V
入力容量(Ciss) (Max) @ Vds 2200pF @ 25V
現在25%で安全連続(id) @°c 22A (Ta), 100A (Tc)
駆動電圧(Max Rdsオン、Min Rdsオン) 4.5V, 10V

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