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NVMYS4D1N06CLTWG

メーカー:	ON Semiconductor
対象品目:	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
データシート:	NVMYS4D1N06CLTWG
説明:	T6 60V LL LFPAK
rohs地位:	rohs化

属性	属性値
メーカー	ON Semiconductor
対象品目	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
シリーズ	Automotive, AEC-Q101
fet234タイプ	N-Channel
包装	Tape & Reel (TR)
vgs max	±20V
技術	MOSFET (Metal Oxide)
fet特徴	-
部地位	Active
取付タイプ	Surface Mount
パケット/場合	SOT-1023, 4-LFPAK
Vgs(th) (Max) @ Id	2V @ 80µA
作動温度	-55°C ~ 175°C (TJ)
Rdsデータ(Max) @ Vgs	4mOhm @ 50A, 10V
電力放蕩(マックス)	3.7W (Ta), 79W (Tc)
サプライヤー装置パッケージ	LFPAK4 (5x6)
ゲートチャージ(Qg) (Max) @ Vgs	34nC @ 10V
ソース電圧(Vdss)へドレインする。	60V
入力容量(Ciss) (Max) @ Vds	2200pF @ 25V
現在25%で安全連続(id) @°c	22A (Ta), 100A (Tc)
駆動電圧(Max Rdsオン、Min Rdsオン)	4.5V, 10V