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P2N2907AZL1G

メーカー: ON Semiconductor
対象品目: Transistors - Bipolar (BJT) - Single
データシート: P2N2907AZL1G
説明: TRANS PNP 60V 0.6A TO-92
rohs地位: rohs化
属性 属性値
メーカー ON Semiconductor
対象品目 Transistors - Bipolar (BJT) - Single
シリーズ -
包装 Tape & Box (TB)
部地位 Obsolete
-マックス 625mW
取付タイプ Through Hole
パケット/場合 TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
トランジスタタイプ PNP
ベース部材番号 P2N2907
作動温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
周波数-遷移 200MHz
サプライヤー装置パッケージ TO-92-3
vイス(Max) @ Ib、Ic 1.6V @ 50mA, 500mA
現在-コレクター・Ic (Max) 600mA
トラッキング・キュートフ(マックス) 10nA
DC電流利得(hFE) (Min) @ Vce 100 @ 150mA, 10V
電圧-コレクターズ・エミッター崩壊(Max 60V

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