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SBC847BPDW1T3G

メーカー:	ON Semiconductor
対象品目:	Transistors - Bipolar (BJT) - Arrays
データシート:	SBC847BPDW1T3G
説明:	TRANS NPN/PNP 45V 0.1A SOT-363
rohs地位:	rohs化

属性	属性値
メーカー	ON Semiconductor
対象品目	Transistors - Bipolar (BJT) - Arrays
シリーズ	Automotive, AEC-Q101
包装	Digi-Reel®
部地位	Active
-マックス	380mW
取付タイプ	Surface Mount
パケット/場合	6-TSSOP, SC-88, SOT-363
トランジスタタイプ	NPN, PNP
作動温度	-55°C ~ 150°C (TJ)
周波数-遷移	100MHz
サプライヤー装置パッケージ	SC-88/SC70-6/SOT-363
vイス(Max) @ Ib、Ic	600mV @ 5mA, 100mA / 650mV @ 5mA, 100mA
現在-コレクター・Ic (Max)	100mA
トラッキング・キュートフ(マックス)	15nA (ICBO)
DC電流利得(hFE) (Min) @ Vce	200 @ 2mA, 5V
電圧-コレクターズ・エミッター崩壊(Max	45V