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SBC856BDW1T1G

メーカー: ON Semiconductor
対象品目: Transistors - Bipolar (BJT) - Arrays
データシート: SBC856BDW1T1G
説明: TRANS 2PNP 65V 0.1A SOT-363
rohs地位: rohs化
属性 属性値
メーカー ON Semiconductor
対象品目 Transistors - Bipolar (BJT) - Arrays
シリーズ Automotive, AEC-Q101
包装 Digi-Reel®
部地位 Active
-マックス 380mW
取付タイプ Surface Mount
パケット/場合 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
トランジスタタイプ 2 PNP (Dual)
作動温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
周波数-遷移 100MHz
サプライヤー装置パッケージ SC-88/SC70-6/SOT-363
vイス(Max) @ Ib、Ic 650mV @ 5mA, 100mA
現在-コレクター・Ic (Max) 100mA
トラッキング・キュートフ(マックス) 15nA (ICBO)
DC電流利得(hFE) (Min) @ Vce 220 @ 2mA, 5V
電圧-コレクターズ・エミッター崩壊(Max 65V

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