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SBSP52T1G

メーカー: ON Semiconductor
対象品目: Transistors - Bipolar (BJT) - Single
データシート: SBSP52T1G
説明: TRANS NPN DARL 80V 1A SOT223
rohs地位: rohs化
属性 属性値
メーカー ON Semiconductor
対象品目 Transistors - Bipolar (BJT) - Single
シリーズ -
包装 Digi-Reel®
部地位 Active
-マックス 800mW
取付タイプ Surface Mount
パケット/場合 TO-261-4, TO-261AA
トランジスタタイプ NPN - Darlington
作動温度 -65°C ~ 150°C (TJ)
周波数-遷移 -
サプライヤー装置パッケージ SOT-223 (TO-261)
vイス(Max) @ Ib、Ic 1.3V @ 500µA, 500mA
現在-コレクター・Ic (Max) 1A
トラッキング・キュートフ(マックス) 10µA
DC電流利得(hFE) (Min) @ Vce 2000 @ 500mA, 10V
電圧-コレクターズ・エミッター崩壊(Max 80V

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